Осциллографические измерения - Соловов В.Я.
Скачать (прямая ссылка):
Аналогично может быть найден и фронт импульса Тф. Например, при частоте следования импульсов /о ИИГ получена осцилло-
Рис. 38. Подбор заданного значения спада вершины импульса изменением частоты следования
44 грамма (рис. 39,а) и нужно найти Тф. Частоту следования импульсов повышают до fi, при которой получается осциллограмма импульса (рис. 39,6), с амплитудой 0,9?/м- После этого продолжают повышать частоту до fa, при которой получится осциллограмма им-
Рис. 39. Определение длительности фронта путем изменения частоты следования сигнала.
пульса (рис. 39,в) с амплитудой 0,Шм. Нетрудно подсчитать:
J___
4 - 2h 2f2'
ПОЛУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОННЫХ ЛАМП
И ТРАНЗИСТОРОВ
При расчете и конструировании радиоэлектронных схем зачастую необходимо знать ие усредненную характеристику электронной лампы или полупроводникового прибора, приведенную в справочнике, а ту, которую они имеют при определенном режиме схемы. Такую характеристику можно получить при помощи ЭЛО.
Наиболее типичными характеристиками электронных ламп являются анодно-сеточная характеристика Ia=f (Uc) при ua=const и анодная /a=tf(tfa) при Uc = Const. Так как эти характеристики являются функциями одной переменной (Uc или Ua), то оии легко могут быть получены на экране ЭЛТ с помощью простой схемы (рис. 40,а). Если, например, нужно снять анодно-сеточиую характеристику, то на сетку подают постоянное смещение Ec и последовательно с ним включают источник периодического переменного напряжения регулируемой амплитуды, которое будет изменять Uc в заданных пределах. Анодное напряжение ?а устанавливают таким, каким оио должно быть в исследуемом режиме. Периодическое изменение величины Uc с частотой, превышающей 20 гц, даст возможность наблюдать неподвижную осциллограмму этой характеристики на экране ЭЛТ, так как величина горизонтального отклонения луча пропорциональна изменению напряжения на сетке, а вертикального — анодному току лампы. Таким периодическим напряжением может быть сигнал синусоидальный, импульсный или пилообразный (рис. 40,6). Если же надо получить анодную характеристику, то источник переменного напряжения включают в анодную цепь лампы последовательно с Е&.
Применение ЭЛО ие только ускоряет снятие характеристик ламп в рабочих режимах, ио н позволяет получить данные для та-
45 «их комбинаций напряжений на электродах лампы, которые привели бы к повреждению Лампы даже при кратковременных измерениях по другому методу Например, описанная схема дает возможность довольно просто сиять характеристики в области положительных напряжений на сетке, где большое рассеяние мощности не позволяет
проводить статических измерений. Наиболее часто в качестве источника переменного напряжения применяют генератор развертки ЭЛО. Описанный метод применим и для снятия характеристик полупроводниковых приборов.
На рис 41, а представлена схема [Л. 1], с помощью которой могут быть получены входные характеристики Uб(/б) при Eк = = const и характеристики прямой передачи по току Ik=I(Iq) при ?K = const для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. В этой схеме величины резисторов Ro и Rk значительно меньше сопротивлений соответствующих переходов испытуемого транзистора При снятии обеих характеристик напряжение горизонтальной развертки снимается с резистора Ro Оно создается током базы /б, вследствие чего величина горизонтального отклонения пропорциональна /б. При установке переключателя П в положение I на вход Y ЭЛО поступает напряжение базы ?/б, снимаемое с точек Б и Э. В положении 2 переключателя иа вход Y подается напряжение, создаваемое током коллектора 1 к на резисторе Нк. Устанавливая различные значения ?к, можно получать разные характеристики
Схема (рис. 41,6) позволяет снимать выходные характеристики транзистора IK=f(UK) при Za=Const, включенного по схеме с общей базой. Диод в эгой схеме ограничивает ток коллектора, если переменное напряжение действует на коллектор в прямом направлении. Характеристики можно снимать при различных значениях тока эмиттера. В случае, если /э=0, то Ik=Iко, и получается характеристика начального (неуправляемого) тока коллектора, который сильно зависит от температуры. Аналогично может быть построена и -схема для снятия выходной характеристики транзистора при включении его по схеме с общим эмиттером
При помощи ЭЛО возможно также определить время запаздывания — время, необходимое для рассасывания неосновных носителей зарядов. Этот параметр необходимо зиать при выборе транзисторов для работы в быстродействующих переключающих устройствах. Схема измерительного стеида приведена на рис. 42,а. На базу транзистора от ИИГ подается отрицательный
46
3
6)
Рис. 40 Схема для получения характеристики электронной лампы. импульс Ти длительностью порядка 5—10 мксек с большой скважностью (Ти>Ти) и амплитудой в несколько десятых долей вольта. Измерив с помощью ЭЛО длительность импульса т'и на выходе транзистора (на определенном уровне) и сравнив ее с импульсом ти, находят время запаздывания T3 (рис. 42,6).