Книги
чёрным по белому
Главное меню
Главная О нас Добавить материал Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Археология Архитектура Бизнес Биология Ветеринария Военная промышленность География Геология Гороскоп Дизайн Журналы Инженерия Информационные ресурсы Искусство История Компьютерная литература Криптология Кулинария Культура Лингвистика Математика Медицина Менеджмент Металлургия Минералогия Музыка Научная литература Нумизматика Образование Охота Педагогика Политика Промышленные производства Психология Путеводители Религия Рыбалка Садоводство Саморазвитие Семиотика Социология Спорт Столярное дело Строительство Техника Туризм Фантастика Физика Футурология Химия Художественная литература Экология Экономика Электроника Энергетика Этика Юриспруденция
Новые книги
Цуканов Б.И. "Время в психике человека" (Медицина)

Суворов С. "Танк Т-64. Первенец танков 2-го поколения " (Военная промышленность)

Нестеров В.А. "Основы проэктирования ракет класса воздух- воздух и авиационных катапульных установок для них" (Военная промышленность)

Фогль Б. "101 вопрос, который задала бы ваша кошка своему ветеринару если бы умела говорить" (Ветеринария)

Яблоков Н.П. "Криминалистика" (Юриспруденция)
Реклама

Осциллографические измерения - Соловов В.Я.

Соловов В.Я. Осциллографические измерения — М.: Энергия, 1968. — 56 c.
Скачать (прямая ссылка): oscilogtaficheskieizmereniya1968.djvu
Предыдущая << 1 .. 11 12 13 14 15 16 < 17 > 18 19 .. 20 >> Следующая


Аналогично может быть найден и фронт импульса Тф. Например, при частоте следования импульсов /о ИИГ получена осцилло-

Рис. 38. Подбор заданного значения спада вершины импульса изменением частоты следования

44 грамма (рис. 39,а) и нужно найти Тф. Частоту следования импульсов повышают до fi, при которой получается осциллограмма импульса (рис. 39,6), с амплитудой 0,9?/м- После этого продолжают повышать частоту до fa, при которой получится осциллограмма им-

Рис. 39. Определение длительности фронта путем изменения частоты следования сигнала.

пульса (рис. 39,в) с амплитудой 0,Шм. Нетрудно подсчитать:

J___

4 - 2h 2f2'

ПОЛУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОННЫХ ЛАМП

И ТРАНЗИСТОРОВ

При расчете и конструировании радиоэлектронных схем зачастую необходимо знать ие усредненную характеристику электронной лампы или полупроводникового прибора, приведенную в справочнике, а ту, которую они имеют при определенном режиме схемы. Такую характеристику можно получить при помощи ЭЛО.

Наиболее типичными характеристиками электронных ламп являются анодно-сеточная характеристика Ia=f (Uc) при ua=const и анодная /a=tf(tfa) при Uc = Const. Так как эти характеристики являются функциями одной переменной (Uc или Ua), то оии легко могут быть получены на экране ЭЛТ с помощью простой схемы (рис. 40,а). Если, например, нужно снять анодно-сеточиую характеристику, то на сетку подают постоянное смещение Ec и последовательно с ним включают источник периодического переменного напряжения регулируемой амплитуды, которое будет изменять Uc в заданных пределах. Анодное напряжение ?а устанавливают таким, каким оио должно быть в исследуемом режиме. Периодическое изменение величины Uc с частотой, превышающей 20 гц, даст возможность наблюдать неподвижную осциллограмму этой характеристики на экране ЭЛТ, так как величина горизонтального отклонения луча пропорциональна изменению напряжения на сетке, а вертикального — анодному току лампы. Таким периодическим напряжением может быть сигнал синусоидальный, импульсный или пилообразный (рис. 40,6). Если же надо получить анодную характеристику, то источник переменного напряжения включают в анодную цепь лампы последовательно с Е&.

Применение ЭЛО ие только ускоряет снятие характеристик ламп в рабочих режимах, ио н позволяет получить данные для та-

45 «их комбинаций напряжений на электродах лампы, которые привели бы к повреждению Лампы даже при кратковременных измерениях по другому методу Например, описанная схема дает возможность довольно просто сиять характеристики в области положительных напряжений на сетке, где большое рассеяние мощности не позволяет

проводить статических измерений. Наиболее часто в качестве источника переменного напряжения применяют генератор развертки ЭЛО. Описанный метод применим и для снятия характеристик полупроводниковых приборов.

На рис 41, а представлена схема [Л. 1], с помощью которой могут быть получены входные характеристики Uб(/б) при Eк = = const и характеристики прямой передачи по току Ik=I(Iq) при ?K = const для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. В этой схеме величины резисторов Ro и Rk значительно меньше сопротивлений соответствующих переходов испытуемого транзистора При снятии обеих характеристик напряжение горизонтальной развертки снимается с резистора Ro Оно создается током базы /б, вследствие чего величина горизонтального отклонения пропорциональна /б. При установке переключателя П в положение I на вход Y ЭЛО поступает напряжение базы ?/б, снимаемое с точек Б и Э. В положении 2 переключателя иа вход Y подается напряжение, создаваемое током коллектора 1 к на резисторе Нк. Устанавливая различные значения ?к, можно получать разные характеристики

Схема (рис. 41,6) позволяет снимать выходные характеристики транзистора IK=f(UK) при Za=Const, включенного по схеме с общей базой. Диод в эгой схеме ограничивает ток коллектора, если переменное напряжение действует на коллектор в прямом направлении. Характеристики можно снимать при различных значениях тока эмиттера. В случае, если /э=0, то Ik=Iко, и получается характеристика начального (неуправляемого) тока коллектора, который сильно зависит от температуры. Аналогично может быть построена и -схема для снятия выходной характеристики транзистора при включении его по схеме с общим эмиттером

При помощи ЭЛО возможно также определить время запаздывания — время, необходимое для рассасывания неосновных носителей зарядов. Этот параметр необходимо зиать при выборе транзисторов для работы в быстродействующих переключающих устройствах. Схема измерительного стеида приведена на рис. 42,а. На базу транзистора от ИИГ подается отрицательный

46

3

6)

Рис. 40 Схема для получения характеристики электронной лампы. импульс Ти длительностью порядка 5—10 мксек с большой скважностью (Ти>Ти) и амплитудой в несколько десятых долей вольта. Измерив с помощью ЭЛО длительность импульса т'и на выходе транзистора (на определенном уровне) и сравнив ее с импульсом ти, находят время запаздывания T3 (рис. 42,6).
Предыдущая << 1 .. 11 12 13 14 15 16 < 17 > 18 19 .. 20 >> Следующая