Книги
чёрным по белому
Главное меню
Главная О нас Добавить материал Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Археология Архитектура Бизнес Биология Ветеринария Военная промышленность География Геология Гороскоп Дизайн Журналы Инженерия Информационные ресурсы Искусство История Компьютерная литература Криптология Кулинария Культура Лингвистика Математика Медицина Менеджмент Металлургия Минералогия Музыка Научная литература Нумизматика Образование Охота Педагогика Политика Промышленные производства Психология Путеводители Религия Рыбалка Садоводство Саморазвитие Семиотика Социология Спорт Столярное дело Строительство Техника Туризм Фантастика Физика Футурология Химия Художественная литература Экология Экономика Электроника Энергетика Этика Юриспруденция
Новые книги
Суворов С. "Танк Т-64. Первенец танков 2-го поколения " (Военная промышленность)

Фогль Б. "101 вопрос, который задала бы ваша кошка своему ветеринару если бы умела говорить" (Ветеринария)

Нестеров В.А. "Основы проэктирования ракет класса воздух- воздух и авиационных катапульных установок для них" (Военная промышленность)

Таранина И.В. "Гражданский процесс в схемах " (Юриспруденция)

Смоленский М.Б. "Адвокатская деятельность и адвокатура российской федерации" (Юриспруденция)
Реклама

Основы теории фотопроводимости - Роуз А.

Роуз А. Основы теории фотопроводимости — М.: Мир, 1966. — 189 c.
Скачать (прямая ссылка): osnoviteoriifotoprovodimosti1966.djvu
Предыдущая << 1 .. 5 6 7 8 9 10 < 11 > 12 13 14 15 16 17 .. 54 >> Следующая

___________•____•____я---------
-С--------и
а
• ш__________________________________________ш---------------------------•---------------------ft.
ООО
5
Фиг. 6. Схема, иллюстрирующая представление об электронном легировании.
я —низкая интенсивность света; б —более высокая интенсивность света.
лежащие между квазиуровнями Ферми для электронов и дырок, — уровнями рекомбинации. На фиг. 6 показано положение квазиуровней Ферми при низкой и некоторой промежуточной интенсивности света. Из фиг. 6, а видно, что при низкой интенсивности уровни 1 являются уровнями рекомбинации, а уровни II — уровнями прилипания. При более высокой интенсив-
Рекомбинация
39
пости света (фиг. 6,6) как уровни /, так и уровни 11 располагаются между квазиуровнями Ферми и, следовательно, оба эти уровня являются уровнями рекомбинации.
Таким образом, при повышении интенсивности света уровни II превращаются из уровней прилипания в уровни рекомбинации. Короче говоря, при увеличении интенсивности света происходит как бы электронное легирование фотопроводника — появляются новые центры рекомбинации.
Представление о таком легировании светом является весьма полезным, так как уровни 11 могут быть выбраны произвольно. Сечения захвата свободных носителей этими уровнями могут быть выбраны такими, что при увеличении интенсивности света, когда «появляется» еще один тип уровней рекомбинации, по желанию может иметь место либо увеличение, либо уменьшение фоточувствительности. Таким образом, предложен простой и важный механизм для объяснения зависимости фототока (т. е. времени жизни) от интенсивности света.
Эта схема будет использована нами для объяснения необычной суперлинейности и более простой для понимания сублинейности люксамперной характеристики. Прежде всего мы рассмотрим границу между уровнями прилипания и уровнями рекомбинации.
§ 7. Демаркационные уровни
Изоляторы обладают более или менее непрерывным спектром локальных уровней дефектов в запрещенной зоне. Каким бы неприятным ни показалось это утверждение тому, кто привык иметь дело с отдельными дискретными уровнями, имеется большое число аргументов, заставляющих принимать его во внимание при любом сколько-нибудь полном рассмотрении изоляторов. При этом, конечно, следует иметь в виду, что концентрация некоторых из этих уровней значительно превышает среднюю концентрацию ква-зинепрерывного фона в запрещенной зоне и поэтому эти уровни следует специально исследовать для изу-
40
Г лава 3
чения их физических свойств и химической природы. Однако исследование фотопроводимости является очень чувствительным методом для обнаружения ква-зинепрерывного фона низкой концентрации даже в присутствии большой (по сравнению со средним фоном) концентрации отдельных локальных уровней. Происхождение квазинегтрерывного фона может быть связано с дефектами решетки и химическими примесями, а также образуемыми ими друг с другом разнообразными комплексами Подтверждением этому служит то, что квазинепрерывный фон более четко проявляется в напыленных пленках и поликристал-лических слоях, чем в монокристаллах.
Независимо от того, имеется ли квазинепрерывный фон или он отсутствует, всегда существует некоторое распределение локальных уровней в запрещенной зоне, и поэтому необходимо установить количественный критерий для отличия уровней прилипания от уровней рекомбинации. С этой целью мы будем искать уровень, для которого вероятность термического выброса находящегося на нем электрона в зону проводимости равна вероятности захвата этим электроном свободной дырки. Такой уровень можно назвать демаркационным уровнем, причем уровни, лежащие выше этого уровня, будут в основном проявлять себя как уровни прилипания, а уровни, расположенные ниже его, будут в основном уровнями рекомбинации. Предполагается, что уровни, которые здесь рассматриваются, принадлежат к одному типу и обладают одним, общим для всех, сечением захвата sn свободных электронов и сечением захвата sp свободных дырок, хотя энергетическое положение этих уровней может быть различным.
Электронный демаркационный уровень D„ опреде-ляется следующим соотношением:
v; exp (- = pvsp. (3.25)
Левая часть соотношения (3 25) предстарляет собой скорость термического выброса электронов в зону
Рекомбинация
41
проводимости. Величина v*, определяемая часто как произведение максимальной частоты собственных колебаний решетки на некоторую постоянную порядка единицы, представляет собой вероятность того, что электрон, энергия которого достаточна для перехода в зону проводимости, действительно перейдет в нее. Дополнительный множитель, входящий в v*, равен отношению числа состояний в зоне проводимости, в которые происходит возбуждение электрона, к числу состояний вблизи дна зоны проводимости. Следует отметить, что за счет этого множителя величина v* может превосходить максимальную частоту собственных колебаний решетки. С другой стороны, точное определение множителей, входящих в v*, не обязательно, так как путем рассмотрения детального равновесия можно получить следующее выражение для v*
Предыдущая << 1 .. 5 6 7 8 9 10 < 11 > 12 13 14 15 16 17 .. 54 >> Следующая