Книги
чёрным по белому
Главное меню
Главная О нас Добавить материал Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Археология Архитектура Бизнес Биология Ветеринария Военная промышленность География Геология Гороскоп Дизайн Журналы Инженерия Информационные ресурсы Искусство История Компьютерная литература Криптология Кулинария Культура Лингвистика Математика Медицина Менеджмент Металлургия Минералогия Музыка Научная литература Нумизматика Образование Охота Педагогика Политика Промышленные производства Психология Путеводители Религия Рыбалка Садоводство Саморазвитие Семиотика Социология Спорт Столярное дело Строительство Техника Туризм Фантастика Физика Футурология Химия Художественная литература Экология Экономика Электроника Энергетика Этика Юриспруденция
Новые книги
Суворов С. "Танк Т-64. Первенец танков 2-го поколения " (Военная промышленность)

Фогль Б. "101 вопрос, который задала бы ваша кошка своему ветеринару если бы умела говорить" (Ветеринария)

Нестеров В.А. "Основы проэктирования ракет класса воздух- воздух и авиационных катапульных установок для них" (Военная промышленность)

Таранина И.В. "Гражданский процесс в схемах " (Юриспруденция)

Смоленский М.Б. "Адвокатская деятельность и адвокатура российской федерации" (Юриспруденция)
Реклама

Основы теории фотопроводимости - Роуз А.

Роуз А. Основы теории фотопроводимости — М.: Мир, 1966. — 189 c.
Скачать (прямая ссылка): osnoviteoriifotoprovodimosti1966.djvu
Предыдущая << 1 .. 16 17 18 19 20 21 < 22 > 23 24 25 26 27 28 .. 54 >> Следующая

где AE=\Er, Ef |, Следовательно, время жизни увеличивается как exp (AE/kT), что показано на фиг. 16.
После того как уровни ?/ и D пересекут середину .запрещенной зоны, уровень D движется к уровню Ет и далее к зоне проводимости, в то время как Ef движется к валентной зоне (фиг. 15, в). Неосновными но-| сителями теперь становятся электроны вместо дырок. Поскольку интервал ID, Ет| уменьшается, вероятность рекомбинации через уровни Nr увеличивается по экспоненте exp (—ID, Er\/kT), а время жизни неосновных носителей уменьшается по экспоненте exp (|D, Er\jkT) (фиг. 16). Когда уровень D пересекает Ег, т. е. когда уровень Еf занимает положение (Ег) много ниже центра запрещенной зоны (см. фиг. 15, г и 16), время жизни принимает то же значение, что и вначале:
Эта иллюстрация была выбрана в качестве наглядного примера симметрии свойств в зависимости от положения уровня Ферми Ef и его отражения D. Если бы сечения захвата sn и sp были выбраны не равными, то времена жизни на левом и правом плато
хр— f — Nrvsp
А р _ 1
1
76
Г лае а И
на фиг. 16 тоже, конечно, были бы не рашшмп. В этом случае уровни Et и D «встретились» бы не в середине запрещенной зоны, а на расстоянии [l2 kT In (sjsp) от нее.
Хотя этот анализ проведен для случая малых концентрации генерированных светом носителей по
Фиг. 16. Зампсимосп. ирсмспи жм:шп сиободпых пар от положения уровня Ферми 1(?г) — отражение Ег относительно уровня ?;].
сравнению с темновой концентрацией неосновных носителей, однако во миогих случаях он остается справедливым и для мипц'п I рации генерированных светом носиIе./нч''|, большой по сравнению с темповой концентрацией неоснониых постелен, по малой по сравнению с темновой концентрацией основных носителей. Анализ фиг. 17,6 показываем, что, когда концентрация неосновных носителей равна, например, одной сотой темновой концентрации основных носителей, энергетический интервал Dn—I)p не превышает 0,1 эв при комнатной температуре и часто его можно не принимать во внимание.
Рекомбинация
77
Одно из основных преимуществ анализа с использованием схем, подобных показанным на фиг. 15, заключается в том, что легко наглядно представить влияние введения двух или большего числа уровней рекомбинации. Вообще если вводятся другие уровни рекомбинации, то сильная экспоненциальная зависимость времени жизни от положения уровня Ферми прекращается в линейную зависимость от энергии.
11оследняя наблюдается для более или менее однородного распределения уровней рекомбинации.
Следует заметить, что в тех случаях, когда уровни /V,. расположены вне интервала Ef—D, наблюдаетсч жепопепциальная температурная зависимость времени жи.нш; угл температурная зависимость исполь-луеи’и для определения энергии уровня Ег.
§ 15. Полупроводники. Неравные времена жизни электронов и дырок
Анализ, проведенный в § 14 для времени жизни неосновных носителей, пригоден также и в том случае, когда времена жизни электронов и дырок неодинаковы. Время жизни основных носителей в этом случае не равно вре!мени жизни неосновных носителей и должно быть вычислено отдельно.
Следует отметить, что в самом общем случае невозможно получить такое простое выражение для времени жизни основных носителей, которое было получено для нескольких рассмотренных выше частных случаев рекомбинации. На значительно большую сложность вопроса указывает следующее отношение времен жизни электронов и дырок, полученное методом теории возмущений для общего случая (Роуз [15]):
т/г _ (по п\) sn (пг Ра Р\) Sp
V ~ («о + «1 +Pr) Sn + (Л> + Pi ) Sp ' ' ' '
Здесь П\ и р\ — концентрации свободных электронов и дырок, которые наблюдались бы в полупроводнике при совпадении уровня Ферми с уровнем рекомбинации. Заметим, что выражение (3.64) содержит восемь независимых параметров. Для многих частных случаев
78
Глава 3
Выражение (3.64) может быть упрощено. Например, если мы имеем дело с полупроводником «-типа и если уровни рекомбинации лежат в верхней полошше запрещенной зоны, то часто можно пренебречь величинами ро и р 1 по сравнению с л0 и п{. Тогда выражение (3.64) принимает вид
(яр nt) sn -f- nrsp xp ~ К + n,) s„ f prs„ ' v • )
Условие равенства времен жизни и (3.65) приводит к такому соотношению: n0s„ или n,sn должно быть много больше, чем nrsp и prsn¦ Это условие выполняется в общем случае при очень малых концентрациях световых носителей. Условие равенства времен жизни удовлетворяется также в том простом случае, когда концентрации световых носителей много больше концентраций центров рекомбинации.
При достаточно больших концентрациях пг и рт выражение (3.65) принимает простой хорошо знакомый вид
1гър Рг$п
Из этого выражения следует, что
1
= ¦
(3.66)
1
(3.67)
р nrvsp
Предположим также, что
nrsp > n0sn > prS". (3.68)
Предыдущая << 1 .. 16 17 18 19 20 21 < 22 > 23 24 25 26 27 28 .. 54 >> Следующая