Книги
чёрным по белому
Главное меню
Главная О нас Добавить материал Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Археология Архитектура Бизнес Биология Ветеринария Военная промышленность География Геология Гороскоп Дизайн Журналы Инженерия Информационные ресурсы Искусство История Компьютерная литература Криптология Кулинария Культура Лингвистика Математика Медицина Менеджмент Металлургия Минералогия Музыка Научная литература Нумизматика Образование Охота Педагогика Политика Промышленные производства Психология Путеводители Религия Рыбалка Садоводство Саморазвитие Семиотика Социология Спорт Столярное дело Строительство Техника Туризм Фантастика Физика Футурология Химия Художественная литература Экология Экономика Электроника Энергетика Этика Юриспруденция
Новые книги
Суворов С. "Танк Т-64. Первенец танков 2-го поколения " (Военная промышленность)

Фогль Б. "101 вопрос, который задала бы ваша кошка своему ветеринару если бы умела говорить" (Ветеринария)

Нестеров В.А. "Основы проэктирования ракет класса воздух- воздух и авиационных катапульных установок для них" (Военная промышленность)

Таранина И.В. "Гражданский процесс в схемах " (Юриспруденция)

Смоленский М.Б. "Адвокатская деятельность и адвокатура российской федерации" (Юриспруденция)
Реклама

Основы теории фотопроводимости - Роуз А.

Роуз А. Основы теории фотопроводимости — М.: Мир, 1966. — 189 c.
Скачать (прямая ссылка): osnoviteoriifotoprovodimosti1966.djvu
Предыдущая << 1 .. 20 21 22 23 24 25 < 26 > 27 28 29 30 31 32 .. 54 >> Следующая

Q — v Ю“12 а/см2, (4.2)
Tr 4nL2/v
где Тг — время пролета электрона от катода к аноду, a v — некоторая средняя скорость, принятая здесь равной половине конечной скорости; таким образом,
v =4- (2-^-V2 =3 • 10V/s см ¦ сек~1, (4.3)
где V выражено в практических вольтах.
Подстановка выражения (4.3) в (4.2) дает хорошо известное выражение
,Ч l/’/2 г и3/ г к
1 = ^ 1J-10=2Апт10 а/см- <4-4)
Точное значение постоянного множителя равно 2,3, а не 2,4.
На фиг. 20 показана схема, аналогичная вакуумному диоду, но использующая твердое тело. Предполагается, что катод, имеющий малую работу выхода, представляет собой резервуар электронов, которые он поставляет в зону проводимости изолятора в непосредственной близости от катода. Благодаря действию приложенного поля этот резервуар смещен в сторону пространства между катодом и анодом. Так же как и выше, мы приближенно выразим заряд в виде
Q =CV — • 10“12 кулон/см2, (4.5)
а время пролета — в виде
Z.2
90
Г лава 4
В результате получим
/==^: = w-10"12 а^- <4J>
Этот ток, ограниченный объемным зарядом, много меньше, чем в вакууме при таких же расстоянии между электродами и приложенном напряжении, так
Фиг. 20. Протекание тока, ограниченного объемным зарядом в твердом теле.
как скорость электронов в твердом теле значительно меньше, чем в вакууме.
В выражении (4.7) подвижность (х, очевидно, является дрейфовой подвижностью свободных носителей. Если в изоляторе имеются мелкие уровни прилипания и отношение концентраций свободных и захва-
ченных электронов является малым числом
е = ?<С1, (4-8)
то выражение (4.7) можно записать в виде
/ = Jl3!i-10_12 alcu\ (4.9)
Токи, ограниченные объемным зарядом
91
§ 2. Изолятор с глубокими уровнями прилипания
Теперь мы перейдем к исследованию более распространенной ситуации, когда между зоной проводимости и «темновым» уровнем Ферми существует ква-зинепрерывное распределение захватывающих центров. Пусть энергетическое распределение уровней этих центров (фиг. 21) дается формулой
ЛГ,(?) = Лехр(-!%М). (4.10)
Параметр Тс является характеристической температурой, используемой для приближенного выражения
Ы,шА exp(-!?ltid) kTc
Фиг. 21. Экспоненциальное распределение ловушек.
скорости уменьшения плотности уровней с энергией. Тс —>¦ оо означает равномерное распределение по энергии. Если Тс меньше окружающей температуры Т, то задача сводится к случаю мелких уровней прилипания, описываемому выражением (4.9). Поэтому мы будем полагать, что ТС^Т. Предположим также, что концентрация уровней прилипания значительно больше концентрации свободных носителей, т. е.
kTNt(E)^>Ncexр(- (4.11)
Если справедливо обратное, то существованием уровней прилипания можно пренебречь.
При решении вопроса о токах, ограниченных объемным зарядом, при наличии непрерывного распреде’
92
Глава 4
ления захватывающих центров в первом приближении можно считать,что инжектированный заряд равномерно распределен между катодом и анодом. Кроме того, так как концентрация уровней прилипания велика по сравнению с концентрацией свободных носителей, с хорошим приближением можно считать, что инжектированный заряд находится на захватывающих центрах. Следовательно, благодаря заполнению захватывающих центров инжектированным зарядом уровень Ферми поднимется и вместо своего первоначального положения займет положение Efn. Новая концентрация свободных носителей будет равна
Поскольку мы выбрали экспоненциальную форму распределения захватывающих центров, число состояний в интервале \Ef, Efn\'^§>kT равно [см. (4.10)]
Заряд, необходимый для заполнения этих состояний, равен
где L — расстояние между электродами.
Для вычисления концентрации свободных носителей выражение (4.14) удобнее переписать в виде
Подстановка выражения (4.15) в (4.12) позволяет получить концентрацию Свободных носителей в виде
(4.12)
kTcNt (Е/п) — kTcA exp (- ~f~ -) . (4.13)
eLkTcA exp (—= VC, (4.14)
eLkTCA ’
VC
или
I Efn< Ec I kf
VC \TclT
eLkTcA
(4.15)
(4.16)
Токи, ограниченные объемным зарядом
93
где
! С \Т °1Т ! /ПО-12 \Те/Т
B==Nc[ etkTcA ) ~Nc\AneL2kTcA ) а
10-12
Приближенно полагая, что напряженность электрического поля равна V/L, из выражения (4.16) немедленно получаем силу тока, ограниченного объемным зарядом:
, V
I — — ne\i =
Предыдущая << 1 .. 20 21 22 23 24 25 < 26 > 27 28 29 30 31 32 .. 54 >> Следующая