Книги
чёрным по белому
Главное меню
Главная О нас Добавить материал Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Археология Архитектура Бизнес Биология Ветеринария Военная промышленность География Геология Гороскоп Дизайн Журналы Инженерия Информационные ресурсы Искусство История Компьютерная литература Криптология Кулинария Культура Лингвистика Математика Медицина Менеджмент Металлургия Минералогия Музыка Научная литература Нумизматика Образование Охота Педагогика Политика Промышленные производства Психология Путеводители Религия Рыбалка Садоводство Саморазвитие Семиотика Социология Спорт Столярное дело Строительство Техника Туризм Фантастика Физика Футурология Химия Художественная литература Экология Экономика Электроника Энергетика Этика Юриспруденция
Новые книги
Суворов С. "Танк Т-64. Первенец танков 2-го поколения " (Военная промышленность)

Фогль Б. "101 вопрос, который задала бы ваша кошка своему ветеринару если бы умела говорить" (Ветеринария)

Нестеров В.А. "Основы проэктирования ракет класса воздух- воздух и авиационных катапульных установок для них" (Военная промышленность)

Таранина И.В. "Гражданский процесс в схемах " (Юриспруденция)

Смоленский М.Б. "Адвокатская деятельность и адвокатура российской федерации" (Юриспруденция)
Реклама

Основы теории фотопроводимости - Роуз А.

Роуз А. Основы теории фотопроводимости — М.: Мир, 1966. — 189 c.
Скачать (прямая ссылка): osnoviteoriifotoprovodimosti1966.djvu
Предыдущая << 1 .. 22 23 24 25 26 27 < 28 > 29 30 31 32 33 34 .. 54 >> Следующая

Особо изящный способ использования переходных токов был предложен независимо Мэни, а также Хелфрихом и Марком. Мэни использовал его для измерения дрейфовой подвижности в кристаллах иода, Хелфрих и Марк выполнили то же самое для антрацена, используя омические контакты. Сильвер выполнил аналогичные наблюдения на антрацене, используя омический контакт, генерируемый освещением.
Как Мэни, так и Хелфрих и Марк аналитически показали, что начальный переходный ток должен иметь пик (фиг. 24) в момент времени, приблизительно соответствующий 0,8/0, где t0 — время пролета в однородном поле. Этот пик возникает потому, что в момент времени t = 0 объемный заряд, инжектированный в кристалл, меньше заряда, который можно разместить в стационарном состоянии. В течение времени, малого по сравнению с временем пролета, объемный заряд локализуется вблизи катода, и его величина дается обычной формулой конденсатора для зарядов, локализованных на двух электродах. В течение времени пролета заряд распространяется по образцу, в результате чего емкость возрастает приблизительно в два раза. Передний фронт объемного заряда достигает анода за время, меньшее, чем время пролета в однородном поле, так как на фронт дей-
Токи, ограниченные объемным зарядом
99
ствует поле, которое благодаря возрастанию емкости распределенного заряда больше поля при однородном распределении. В момент, когда фронт достигает анода, величина тока будет больше своего равновесного значения, так как в это время объемный заряд, находящийся в кристалле, превышает равновесный. Это
Фиг. 24. Начальный переходный процесс при протекании тока, ограниченного объемным зарядом (по результатам работ Мэни [7] и Марка и Хелфриха [8]).
происходит из-за того, что, когда фронт достигает анода, объемный заряд вблизи анода превышает свое равновесное значение. Комбинация упомянутых переходных процессов приводит к образованию на графике пика в момент времени, соответствующий 0,8 времени пролета в однородном поле. Этот пик сохраняется даже при наличии прилипания и может служить легко различимой отметкой при измерении времени пролета и дрейфовой подвижности. Как Мэни, так и Марк и Хелфрих провели детальный анализ переходного процесса и подтвердили этот анализ экспериментальными данными соответственно на иоде и антрацене.
7*
100
Глава 4
ЛИТЕРАТУРА
1 Fan Н Y, Phys Rev, 74, 1505 (1948)
2 Helfrich W, Mark P, Zs Phys, 166, 370 (1962)
3 Lampert M A, Phys Rev 103, 1648 (1956)
4 Lampert M A, Rose A, Smith R W Journ Phys
Chem Solids, 8, 464 (1959)
5 Many A, Rakavy G, Phys Rev, 126, 1980 (1962)
6 Many A, Simhony M Weiss S Z Levinson J,
Photoconductivity, New York, 1962 p 285
7 Many A, Weiss S Z, Levinson J, Phys Rev, 126,
1989 (1962)
8 Mark P Helfrich W, Journ Appl Phys 33, 205 (1962)
9 Mott N F, Gurney R W, Electronic Processes in Ionic
Crystals, New York, 1940, p 172 (См перевод H Мотт и Р Герни Электронные процессы в ионных кристаллах, ИЛ 1950 )
10 Rose A Phys Rev 97, 1538 (1955)
11 RuppelW.Helv Phys Acta, 31,311 (1958)
12 Silver M, Swicord M, Jarnigan R C, Many A,
Weiss S Z, Simhony M, Journ Phys Chem Solids, 23, 419 (1962)
13 S m 11 h R W , RCA Rev , 20, 69 (1959)
14 Smith R W, Rose A, Phys Rev, 97, 1531 (1955)
15 Stockmann F, Halbleiterprobleme (Schottky W ed),
Braunschweig 1961, S 279
16 Wright G T, Nature, 182, 1296 (1958)
17 LanyorH P D, Phys Rev, 130, 134 (1963).
ГЛАВА 5
ПРОИЗВЕДЕНИЕ КОЭФФИЦИЕНТА УСИЛЕНИЯ НА ШИРИНУ ПОЛОСЫ. ЧАСТЬ II
§ 1. Чистые фотопроводники и фотопроводники при наличии мелких уровней прилипания
В гл. 3 рассмотрены некоторые вопросы, связанные со временем жизни свободных носителей. Время жизни свободных носителей определяет полное число этих носителей:
т=г х
При этом фототок
, ш
Тг
(см. гл. 2), и так как время пролета Тг обратно пропорционально приложенному напряжению, то можно ожидать, что фототок будет пропорционален приложенному напряжению.
На фнг. 25 показан ход потенциала вблизи омического контакта освещенного фотопроводника в отсутствие приложенного напряжения и при двух различных по величине напряжениях. Мы приводим эти графики для того, чтобы подчеркнуть роль омического контакта как «резервуара» носителей тока. С ростом напряжения омический контакт превращается в виртуальный катод, обеспечивающий прохождение необходимого количества носителей, определяемого скоростью их движения в объеме. Более детальный анализ омического контакта дан в гл. 8.
Второй особенностью омического контакта при низких напряжениях является узость области пространственного заряда, обусловленного приложенным напряжением, в силу чего ею можно пренебречь по сравнению с протяженностью фотопроводника. Это положение является приближенным и нарушается при высоких напряжениях. Область пространственного заряда совпадает с виртуальным катодом и
102
Глава 5
распространяется вглубь объема фотопроводника при увеличении поля. Что же препятствует этому ее распространению? Попытаемся найти ответ на этот вопрос, предположив, что заряд у катода непрерывно втягивается в объем фотопроводника и непрерывно уничтожается за счет диэлектрической релаксации.
Предыдущая << 1 .. 22 23 24 25 26 27 < 28 > 29 30 31 32 33 34 .. 54 >> Следующая