Книги
чёрным по белому
Главное меню
Главная О нас Добавить материал Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Археология Архитектура Бизнес Биология Ветеринария Военная промышленность География Геология Гороскоп Дизайн Журналы Инженерия Информационные ресурсы Искусство История Компьютерная литература Криптология Кулинария Культура Лингвистика Математика Медицина Менеджмент Металлургия Минералогия Музыка Научная литература Нумизматика Образование Охота Педагогика Политика Промышленные производства Психология Путеводители Религия Рыбалка Садоводство Саморазвитие Семиотика Социология Спорт Столярное дело Строительство Техника Туризм Фантастика Физика Футурология Химия Художественная литература Экология Экономика Электроника Энергетика Этика Юриспруденция
Новые книги
Суворов С. "Танк Т-64. Первенец танков 2-го поколения " (Военная промышленность)

Фогль Б. "101 вопрос, который задала бы ваша кошка своему ветеринару если бы умела говорить" (Ветеринария)

Нестеров В.А. "Основы проэктирования ракет класса воздух- воздух и авиационных катапульных установок для них" (Военная промышленность)

Таранина И.В. "Гражданский процесс в схемах " (Юриспруденция)

Смоленский М.Б. "Адвокатская деятельность и адвокатура российской федерации" (Юриспруденция)
Реклама

Основы теории фотопроводимости - Роуз А.

Роуз А. Основы теории фотопроводимости — М.: Мир, 1966. — 189 c.
Скачать (прямая ссылка): osnoviteoriifotoprovodimosti1966.djvu
Предыдущая << 1 .. 36 37 38 39 40 41 < 42 > 43 44 45 46 47 48 .. 54 >> Следующая

w- ,7-|5>
На этом расстоянии доля диффузионных путей, пересекающихся с захватывающими центрами, будет равна
4я (А/2)2 ’
где т — число ближайших соседей захватывающего центра. Таким образом, время захвата будет определяться отношением выражения (7.15) к (7.16), или
eL2nL2 __ Зя 1 1».
Х 4kT)ims 4т nrv(sl/L) ' У ¦ )
Выражение (7.17) может быть записано в виде
х = —j-, (7.18)
nrvs* v 7
где
s' = s(^-t)- <7Л9>
Если взять т=4, то выражение (7.19) можно иополь-< зовать для вычисления сечений захвата при /<L/2.
¦) Аналогичный вопрос рассмотрел Пекар [7]. — Прим. ред.
Сечения захвата
148
§ 3. Захват отталкивающими кулоновскими центрами
Свободный атом может захватить только один добавочный электрон. Второй электрон даже на малых расстояниях отталкивается потенциалом. Примесные центры в твердом теле могут захватывать более одного электрона отчасти потому, что кулоновское поле
первого заряда ослаблено поляризацией, и отчасти потому, что валентные силы окружающих атомов на малых расстояниях могут создавать существенное притяжение. Например, имеются веские доказательства того, что золото в германии может быть тройным акцептором. Аналогично предполагается, что вакансии кадмия в CdS могут захватывать два добавочных электрона, образуя двукратно заряженный центр. Если один из этих электронов удаляется светом, то обратный переход электрона на центр убудет затруднен отталкивающими силами, действующими на больших расстояниях Только на достаточно малых расстояниях от центра электрон притягивается к нему Чтобы приблизиться к центру, электрон должен преодолеть потенциальный барьер (фиг. 36). Поэтому эффективное сечение захвата свободного электрона будет уменьшено.
Например, если вершина потенциального барьера соответствует г=4 А, то его высота в материале с диэлектрической проницаемостью 10 будет равна 0,37 эв.
150
Глава 7
При этом следует ожидать уменьшения сечения за* хвата на больцмановский множитель
что при комнатной температуре составляет 10~6. Если сечение захвата равно 9-10_1Б см2, то мы получим
Фиг. 37. Увеличение времени жизии, вызванное наличием макроскопического барьера.
значение 2 * 10-21 см2, которое близко к сечению, наблюдаемому в очувствленных кристаллах CdS. С другой стороны, следует ожидать, что это сечение должно сильно зависеть от температуры, однако последнее еще не вполне доказано. В CdS и германии, легированном никелем, при температуре жидкого воздуха обнаружены центры, ответственные за очень большие времена жизни *).
Сравнительно легко наглядно объяснить наличие больших времен жизни свободных носителей, обус-
') Теоретическая оценка [8] и эксперимент [9, 10] указывают на большую вероятность туннельного просачивания сквозь ку-лоновский барьер. Это существенно уменьшает влияние кулонов-ского отталкивания и меняет характер температурной зависимости сечения [8]. Кроме того, в ряде случаев следует учитывать изменение формы барьера за счет экранирования носителями тока [11]. — Прим. ред,
hu
§ 4. Макроскопические барьеры
Сечения захвата
151
ловленных присутствием в кристалле макроскопических барьеров. В частности, если на поверхности кристалла «-типа зоны «загнуты вверх» (фиг. 37), то свободные пары, генерируемые в поверхностном барьере, будут разделяться полем. При этом свободный электрон уйдет в объем, а дырка останется связанной на поверхности. Теперь, чтобы рекомбинировать с дыркой, электрон должен преодолеть поверхностный барьер, поэтому он будет оставаться свободным в течение долгого времени. Такие барьеры, конечно, могут существовать и в объеме, в частности на границах зерен. Анализ фотопроводимости в тонких пленках сульфида свинца, активированных путем окисления, по-видимому, подтверждает наличие такого механизма.
Затрудняя доступ носителей одного знака к рекомбинационному центру, поверхностные барьеры уменьшают скорость поверхностной рекомбинации пар в германии и кремнии.
ЛИТЕРАТУРА
1. A sea г el И Q., Rodriguez S., Phys. Rev., 124, 1325
(1961).
2. Koenig S. H„ Phys. Rev., 110, 988 (1958).
3. Lax M„ Phys. Rev., 119, 1502 (1960).
4. Rose A., RCA Rev., 12, 362 (1951).
5. Stockmann F., Zs. Phys., 130, 477 (1951).
6. Van Roostroeck W., Shockley W., Phys. Rev., 94,
1558 (1954).
7». ПекарС. И., ЖЭТФ, 20, 267 (1950).
8*. Б о н ч - Б p у e в и ч В. Л., ФТТ, 2, 182 (1959).
9*. Иванов Ю. Л., ФТТ, 4, 2274 (1962).
10*. Жданова Н. Г., Калашников С. Г., ФТТ, 6, 440 (1964).
И*. Рогачев А. А., Рыбкин С. М., ФТТ, 6, 3742 (1964).
ГЛАВА 8
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ КОНТАКТЫ
§ 1. Нейтральные контакты
Простейший контакт полупроводника с металлом показан на фиг. 38, а. Край зоны проводимости соответствует постоянной энергии вплоть до границы с металлом. В противоположность контактам, у которых на границе с металлом зоны загибаются вверх или вниз, этот контакт называется нейтральным. Максимальный ток, который может быть пропущен через такой контакт, определяется термоэлектронной эмиссией из металла в полупроводник. В соответствии с принципом детального равновесия этот максимальный термоэлектрический ток равен полному току из полупроводника в металл. Следовательно, термоэлектронная эмиссия будет испытывать насыщение при электрическом поле в полупроводнике, определяемом из условия
Предыдущая << 1 .. 36 37 38 39 40 41 < 42 > 43 44 45 46 47 48 .. 54 >> Следующая