Книги
чёрным по белому
Главное меню
Главная О нас Добавить материал Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Археология Архитектура Бизнес Биология Ветеринария Военная промышленность География Геология Гороскоп Дизайн Журналы Инженерия Информационные ресурсы Искусство История Компьютерная литература Криптология Кулинария Культура Лингвистика Математика Медицина Менеджмент Металлургия Минералогия Музыка Научная литература Нумизматика Образование Охота Педагогика Политика Промышленные производства Психология Путеводители Религия Рыбалка Садоводство Саморазвитие Семиотика Социология Спорт Столярное дело Строительство Техника Туризм Фантастика Физика Футурология Химия Художественная литература Экология Экономика Электроника Энергетика Этика Юриспруденция
Новые книги
Суворов С. "Танк Т-64. Первенец танков 2-го поколения " (Военная промышленность)

Фогль Б. "101 вопрос, который задала бы ваша кошка своему ветеринару если бы умела говорить" (Ветеринария)

Нестеров В.А. "Основы проэктирования ракет класса воздух- воздух и авиационных катапульных установок для них" (Военная промышленность)

Таранина И.В. "Гражданский процесс в схемах " (Юриспруденция)

Смоленский М.Б. "Адвокатская деятельность и адвокатура российской федерации" (Юриспруденция)
Реклама

Основы теории фотопроводимости - Роуз А.

Роуз А. Основы теории фотопроводимости — М.: Мир, 1966. — 189 c.
Скачать (прямая ссылка): osnoviteoriifotoprovodimosti1966.djvu
Предыдущая << 1 .. 37 38 39 40 41 42 < 43 > 44 45 46 47 48 49 .. 54 >> Следующая

При подвижности 102 см2/в-сек и тепловой скорости 107 см/сек из выражения (8.2) следует, что насыщение произойдет при поле 2,5*104 в/см. При этом поле отклонение от закона Ома происходит также вследствие изменения подвижности носителей благодаря их «разогреванию» электрическим полем.
Если напряженность поля меньше, чем при насыщении, то ток, протекающий через полупроводник, будет меньше максимального возможного тока из металла в полупроводник, а контакт является «омическим». Он может рассматриваться как омический в том смысле, что возрастание поля в полупроводнике вызывает пропорциональное возрастание тока. Такой контакт является омическим также и потому, что он
(8.1)
или
^ — ^ в/СМ.
(8.2)
n„g,= (n0+ Дп)%>2
154
Глава 8
может обеспечивать приток добавочных носителей тока, когда под действием света полупроводник становится более проводящим. В последнем случае действие добавочных носителей Ап приводит к усилению поля вблизи контакта, что и обеспечивает необходимое увеличение тока (фиг. 38,6).
Область токов, в которой контакт остается омическим, ограничена, конечно, током насыщения термоэлектронной эмиссии. При интенсивности света, превосходящей ту, которая необходима для получения тока насыщения, контакт становится запирающим, т. е. он не может восполнять недостаток, возникающий из-за того, что анод вытягивает из образца созданные светом носители. При таких больших интенсивностях света поле все более и более концентрируется у катода.
Хотя, по определению, нейтральным называется контакт, вблизи которого отсутствует изгиб зон, ясно, что наличие небольшого изгиба в запирающем направлении не мешает контакту в более ограниченной области напряженностей поля действовать подобно нейтральному. Для этого случая уравнение (8.1) может быть переписано в виде
ехр(— =&пе\1, (8.3)
или
= ехр(— в/см, (8.4)
где AV — величина изгиба зон у контакта. Выражение (8.4) показывает, что по мере роста AV напряженность поля, при которой происходит насыщение эмиссии, быстро уменьшается.
При значениях AV, для которых напряженность поля в выражении (8.4) удовлетворяет условию
где L — длина образца, контакт действует как простой диодный выпрямитель, в котором обратный ток насыщается, когда приложенное напряжение дости» гает нескольких kT/e.
Электрические контакты
155
§ 2. Запирающие контакты
Как было отмечено в предыдущем параграфе, контакт, ток эмиссии которого насыщается, является запирающим (фиг. 39). При этом возрастание электрического поля вблизи контакта или возрастание
+ 1/
Фиг. 39. Запирающий контакт.
а — без приложенного напряжения, б —приложено напряжение э запирающем
направлении.
проводимости полупроводника не приводит к увеличению тока через контакт.
Вакуумный диод в режиме насыщения и вакуумный фотоэлемент являются известными примерами устройств, в которых катод действует как запирающий контакт по отношению к вакууму. Аналогично
156
Глава 8
выпрямители, использующие выпрямление на границе между полупроводником и металлом, и р — п-пере-ходы, смещенные в обратном направлении, являются обычными примерами запирающих контактов в твердых телах.
В предыдущих главах настоящей книги при обсуждении фотопроводимости всегда предполагалось существование омических, а не запирающих контактов. Выведенное в гл. 5 выражение для произведения усиления на полосу пропускания неприменимо к свойствам запирающих контактов. Однако эти свойства довольно просты. Если в объеме фотопроводника возбуждаются носители только одного знака, то стационарный ток невозможен. Если в области объемного заряда возбуждаются носители одного знака или носители обоих знаков возбуждаются в объеме, то через контакт может протекать стационарный ток, равный скорости возбуждения носителей в образце. Это означает, что коэффициент усиления равен единице. Время фотоответа равно времени дрейфа и может быть сделано столь малым, насколько позволяет скорость дрейфа носителей при насыщении. Последняя приблизительно равна 107 см/сек.
Фототоки в аморфном селене, который используется в ксерографии, а также фототоки в тонких слоях порошка окиси цинка, используемых в другом электрофотографическом процессе (электрофакс), представляют собой хорошо изученные и описанные примеры действия запирающих контактов. В обоих случаях возбуждение производится сильно поглощаемым светом в области контакта, и максимальное усиление равно единице. Время фотоответа в процессе электрофакс было измерено [3] и оказалось порядка нескольких секунд, что было объяснено дрейфом носителей через тонкий слой окиси цинка при наличии центров прилипания. Время дрейфа свободных носителей в этом случае должно составлять 10~9 сек.
При малых напряжениях коэффициент усиления меньше единицы и в некоторых случаях изменяется пропорционально приложенному напряжению. В этой области напряжений носители в основном рекомбини-
Предыдущая << 1 .. 37 38 39 40 41 42 < 43 > 44 45 46 47 48 49 .. 54 >> Следующая