Книги
чёрным по белому
Главное меню
Главная О нас Добавить материал Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Археология Архитектура Бизнес Биология Ветеринария Военная промышленность География Геология Гороскоп Дизайн Журналы Инженерия Информационные ресурсы Искусство История Компьютерная литература Криптология Кулинария Культура Лингвистика Математика Медицина Менеджмент Металлургия Минералогия Музыка Научная литература Нумизматика Образование Охота Педагогика Политика Промышленные производства Психология Путеводители Религия Рыбалка Садоводство Саморазвитие Семиотика Социология Спорт Столярное дело Строительство Техника Туризм Фантастика Физика Футурология Химия Художественная литература Экология Экономика Электроника Энергетика Этика Юриспруденция
Новые книги
Суворов С. "Танк Т-64. Первенец танков 2-го поколения " (Военная промышленность)

Фогль Б. "101 вопрос, который задала бы ваша кошка своему ветеринару если бы умела говорить" (Ветеринария)

Нестеров В.А. "Основы проэктирования ракет класса воздух- воздух и авиационных катапульных установок для них" (Военная промышленность)

Таранина И.В. "Гражданский процесс в схемах " (Юриспруденция)

Смоленский М.Б. "Адвокатская деятельность и адвокатура российской федерации" (Юриспруденция)
Реклама

Основы теории фотопроводимости - Роуз А.

Роуз А. Основы теории фотопроводимости — М.: Мир, 1966. — 189 c.
Скачать (прямая ссылка): osnoviteoriifotoprovodimosti1966.djvu
Предыдущая << 1 .. 2 3 4 5 < 6 > 7 8 9 10 11 12 .. 54 >> Следующая

2. Rose A.. Hclv. Phys Ada, 30, 242 (1957).
3. Rose A., Lampert M. A., Phys. Rev., 113, 1227 (1959).
4 Rose A., Lampert M. A., RCA Rev., 20, 57 (1959).
5. S m i t h R. W„ Phys. Rev., 97, 1525 (1955).
6 Stockmann F., в книге Photoconductivity Conference (Breckenridge R. G., Russell B. R., Hahn E. E., eds.), New York — London, 1954, p. 269.
7. Stockmann F., Zs. Phys., 147, 544 (1957).
ГЛАВА 3
РЕКОМБИНАЦИЯ
\
Полное число возбужденных светом носителей определяется выражением (2.1)
Ш = Fx.
Выражение для фототока может быть получено, если разделить обе части (2.1) на время пролета Тг. Но время пролета может принимать почти любые значения за счет выбора соответствующих значений макроскопических параметров — напряжения и расстояния между электродами. Время пролета не является определенной характеристикой фогопроводпика. Скорость образования носителей F также не является характеристическим параметром фотопроводника. Во многих случаях F может быть принято равным падающему потоку фотонов, что особенно справедливо для сильно поглощаемого света1). Последний параметр т, время жизни свободных носителей, является характеристическим параметром, который определяется свойствами локальных уровней дефектов решетки, расположенных в запрещенной зоне фотопроводника. Таким образом, т не является постоянной величиной для некоторого химического соединения или даже для данного образца этого соединения, так как х может зависеть от уровня возбуждения, а также от температуры. Более того, при различных спо- ' собах синтеза вещества можно варьировать величи-
¦) Это утверждение перестает быть справедливым для фотонов больших энергий, создающих электроны и дырки с кинем и-ческой энергией, достаточной для осуществления ударной ионизации В этом случае, очевидно, квантовый выход превышает единицу. — Прим. ред.
Рекомбинация
23
ну т (например, для CdS в пределах от 10~2 до 10~10 сек).
Подробное рассмотрение рекомбинационных процессов, определяющих время жизни свободных носителей, заняло бы слишком много места. В настоящей главе используется метод изложения материала, дающий достаточно наглядное представление о различных рекомбинационных процессах без применения сложных аналитических решений. Последние, вероятно, должны содержать по меньшей мере восемь параметров, и их применение для объяснения физических процессов затруднительно. В настоящем изложении основное внимание уделено рассмотрению небольшого числа простых физических моделей, которые тем не менее могут быть использованы как средство исследования широкого круга вопросов, возникающих при изучении реальных веществ. Рекомбинационные процессы разделяются на группы с определенными значениями параметров, для которых можно получить простые приближенные решения. Это позволяет свести к минимуму алгебраические выкладки.
Само собой разумеется, что изучение рекомбинационных процессов лежит в основе исследования не только фотопроводимости, но и люминесценции, а также механизма явлений во многих полупроводниковых приборах. Таким образом, должны быть рассмотрены как изоляторы, так и полупроводники. Часто анализ рекомбинационных процессов для изоляторов >даегея провести в более общей форме, из которой как частный случай получается решение для полупроводников.
Анализируемые ниже рекомбинационные модели были выбраны как наиболее характерные из большого числа экспериментальных данных, полученных па фоточувствительных изоляторах и полупроводниках.
ИЗОЛЯТОРЫ
Фотопроводники часто используются для детектирования излучения малой интенсивности. В соответствии с этим желательно свести к минимуму темно-
24
Г лава 3
вую проводимость. Поэтому большой интерес проявляется к фотопроводникам, изготовленным из относительно высокоомных материалов.
Мы будем считать изоляторами такие вещества, в которых концентрация темновых носителей пренебрежимо мала по сравнению с концентрацией неравновесных носителей, возбужденных светом. При комнатной температуре это означает, что ширина запрещенной зоны должна превышать 1,5 эв. При более низких температурах ширина запрещенной зоны может быть соответственно уменьшена. Однако не следует думать, что наличие большой ширины запрещенной зоны достаточно для того, чтобы вещество являлось изолятором. Необходимо, кроме того, потребовать, чтобы расстояние уровня Ферми от ближайшего края запрещенной зоны превосходило 0,75 эв. Концентрация носителей, соответствующая такому положению уровня Ферми, составляет примерно 106 см~3 при комнатной температуре.
Ниже рассматривается серия моделей, последовательно приближающихся к случаю реального изолятора со сложной системой локальных состояний в запрещенной зоне. В первых шести параграфах устанавливаются следующие основные положения: 1) времена жизни электронов и дырок в общем случае независимы друг от друга; 2) эти времена приблизительно одинаковы в условиях сильного освещения или в очень чистом материале (например, в материалах, из которых изготовляют транзисторы); 3) время жизни определяется уровнями рекомбинации, а время фотоответа определяется как уровнями рекомбинации, так и уровнями прилипания1); 4) разделение на уровни прилипания и уровни рекомбинации зависит в основном от статистики рекомбинационных процессов и может изменяться с температурой и уровнем
Предыдущая << 1 .. 2 3 4 5 < 6 > 7 8 9 10 11 12 .. 54 >> Следующая