Книги
чёрным по белому
Главное меню
Главная О нас Добавить материал Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Археология Архитектура Бизнес Биология Ветеринария Военная промышленность География Геология Гороскоп Дизайн Журналы Инженерия Информационные ресурсы Искусство История Компьютерная литература Криптология Кулинария Культура Лингвистика Математика Медицина Менеджмент Металлургия Минералогия Музыка Научная литература Нумизматика Образование Охота Педагогика Политика Промышленные производства Психология Путеводители Религия Рыбалка Садоводство Саморазвитие Семиотика Социология Спорт Столярное дело Строительство Техника Туризм Фантастика Физика Футурология Химия Художественная литература Экология Экономика Электроника Энергетика Этика Юриспруденция
Новые книги
Суворов С. "Танк Т-64. Первенец танков 2-го поколения " (Военная промышленность)

Фогль Б. "101 вопрос, который задала бы ваша кошка своему ветеринару если бы умела говорить" (Ветеринария)

Нестеров В.А. "Основы проэктирования ракет класса воздух- воздух и авиационных катапульных установок для них" (Военная промышленность)

Таранина И.В. "Гражданский процесс в схемах " (Юриспруденция)

Смоленский М.Б. "Адвокатская деятельность и адвокатура российской федерации" (Юриспруденция)
Реклама

Основы теории фотопроводимости - Роуз А.

Роуз А. Основы теории фотопроводимости — М.: Мир, 1966. — 189 c.
Скачать (прямая ссылка): osnoviteoriifotoprovodimosti1966.djvu
Предыдущая << 1 .. 2 3 4 5 6 7 < 8 > 9 10 11 12 13 14 .. 54 >> Следующая

28
Глава 3
равномерно по всем уровням рекомбинации. После прекращения освещения и последующего спада основной доли фототока распределение электронов по центрам рекомбинации остается более «горячим» (соответствующим более высокой эффективной температуре), чем равновесное окружение. Это и продолжает обеспечивать протекание малого тока до тех пор, пока распределение не станет термически равновесным за счет процессов термического возбуждения в свободные зоны и последующего повторного захвата.
Уровни пг и рг называются уровнями рекомбинации, так как свободный электрон, захваченный на уровень рг (который при этом становится уровнем пг), захватывает свободную дырку раньше, чем он будет термически возбужден в зону проводимости. Точно так же свободная дырка, захваченная на уровень пг (который при этом становится уровнем рг), захватывает свободный электрон раньше, чем она будет термически возбуждена в валентную зону. Заметим, что если даже для отдельного центра полный акт рекомбинации является двухступенчатым процессом, так как первым захватывается электрон, а потом дырка (или наоборот), то для свободных электронов и дырок вероятности их рекомбинации статистически независимы и, следовательно, независимы и времена жизни электронов и дырок.
§ 2. Один тип центров рекомбинации.
Высокая интенсивность света (и, р > пг,
На фиг. 4 показан один тип центров рекомбинации, полностью аналогичных тем центрам, которые изображены на фиг. 3, за исключением того, что их концентрация (например, 1012 см~3) значительно меньше концентрации возбужденных светом носителей. При этом условии концентрации свободных электронов и дырок должны быть одинаковыми, так как разность п — р должна быть равна изменению заполнения центров рекомбинации, а концентрация последних в соответствии с предположением мала по сравнению с п и р. Следовательно, тп = тр. Очевидно, что
Рекомбинация
29
для выполнения условия
п я» р (3.5)
заполнение центров рекомбинации должно измениться так, чтобы
(з.б)
prvsn nrvsp
где n'r, p'r — новые значения заполнения центров
-77= ( Т = р
Л_
„пг
Nr= п'г у р'г
"75 О О—О—О—С—О------------О--<J^—p = fT = n
‘I> it I 4. Схема фоюироиодпика с одним типом центров реком-6шр<1Ц1ш при иысокой интенсивности света (п, р>пг, рг).
рекомбинации. Из равенства (3.6) получаем для новых значений заполнения
-4 = — . (3.7)
Рг sp
или
пг п' s„
-г-г—Г= —= ——. (3.8)
nr+pr Nr sn + sp
Используя соотношение (3.8), можно получить выражения
ти = тр = —г— =------------ -----------------» (3.9)
n,vsp Nrv [sBSp/(s„ + sp)j
или
1 при s„<CV (3.10)
*я = V
Nrvs„
1
Nrvsp
при sp<^sn. (3.11)
30
Глава 3
Выражения (3.10) и (3.11) показывают, что скорость рекомбинации определяется меньшим из двух сечений захвата. Например, если сечение захвата для электронов sn мало по сравнению с сечением для дырок sp, то центры рекомбинации в основном пусты и мы получаем выражение (3.10).
В предыдущем случае, рассмотренном в § 1, когда п, р<Спг, рг, величины пт и рг оставались неизменными при освещении и входили поэтому в выражения для тп и тр. В настоящем случае, когда п, р>пг, рт, соблюдение равенства п = р приводит к замене пг, рг на пг, рг, которые и входят в выражения для т„=тр. В рассматриваемом случае, так же как и при иизкой интенсивности света, время жизни не зависит от интенсивности света и температуры и равно времени фотоответа.
§ 3. Один тип центров рекомбинации и уровни прилипания. Низкая интенсивность света
(п + /? + /?,< пг, рг)
Рассматриваемая схема (фиг. 5) отличаемся от схемы, показанной па фиг. 3, тем, что в ней добавлены уровни прилипания для электронов nt и для дырок Pt¦ Уровни нрплипапни для м.локфонов характеризуются тем, что свободный электрон, захваченный на пустой уровень, будет термически возбужден в зону проводимости раньше, чем он захватит свободную дырку. Аналогичным образом, свободная дырка, захваченная уровнем прилипания для дырок (заполненным до этого электроном), будет термически возбуждена в валентную зону раньше, чем она захватит свободный электрон. Уровни прилипания для электронов находятся в тепловом равновесии с зоной проводимости. Это означает, что отношение заполнения этих уровней и уровней в зоне проводимости определяется множителем Больцмана
Предыдущая << 1 .. 2 3 4 5 6 7 < 8 > 9 10 11 12 13 14 .. 54 >> Следующая