Книги
чёрным по белому
Главное меню
Главная О нас Добавить материал Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Археология Архитектура Бизнес Биология Ветеринария Военная промышленность География Геология Гороскоп Дизайн Журналы Инженерия Информационные ресурсы Искусство История Компьютерная литература Криптология Кулинария Культура Лингвистика Математика Медицина Менеджмент Металлургия Минералогия Музыка Научная литература Нумизматика Образование Охота Педагогика Политика Промышленные производства Психология Путеводители Религия Рыбалка Садоводство Саморазвитие Семиотика Социология Спорт Столярное дело Строительство Техника Туризм Фантастика Физика Футурология Химия Художественная литература Экология Экономика Электроника Энергетика Этика Юриспруденция
Новые книги
Цуканов Б.И. "Время в психике человека" (Медицина)

Суворов С. "Танк Т-64. Первенец танков 2-го поколения " (Военная промышленность)

Нестеров В.А. "Основы проэктирования ракет класса воздух- воздух и авиационных катапульных установок для них" (Военная промышленность)

Фогль Б. "101 вопрос, который задала бы ваша кошка своему ветеринару если бы умела говорить" (Ветеринария)

Яблоков Н.П. "Криминалистика" (Юриспруденция)
Реклама

Унитарная квантовая теория и новые источники энергии - Сапогин Л.Г.

Сапогин Л.Г., Рябов Ю.А., Участкин В.И. Унитарная квантовая теория и новые источники энергии — Москва, 2003. — 175 c.
Скачать (прямая ссылка): unitarnayakvantovayateoriya2003.djvu
Предыдущая << 1 .. 54 55 56 57 58 59 < 60 > 61 62 63 64 65 66 .. 68 >> Следующая

Зонная структура и электронные переходы в случае
захвата дырки ловушкой
Решетка кристалла содержит обычно формации, которые нарушают
периодичность решетки. В них может происходить локализация ("захват")
электронов из зоны проводимости или дырок из валентной зоны. Именно такие
формации являются ловушками. Они могут быть различными по природе своего
образования, например, чужеродные атомы в узлах (замещения) и междоузлиях
(внедрения) кристалла, вакантные узлы решетки (дефекты Шоттки), атомы,
смещенные из
153
равновесных положений (дефекты Френкеля), дислокации, границы
микрокристаллов. По зонной теории твердого тела с такими несовершенствами
кристаллической решетки связаны дискретные уровни в запрещенной зоне
энергетического спектра электронных состояний (рис. 18.2,а). В квантовых
состояниях, соответствующих этим дискретным уровням, электроны
локализованы на ловушках. Локализация электрона происходит при переходе
его из зоны проводимости на дискретный уровень а рис. 18.2,а. Переход
электрона с дискретного уровня b в валентную зону можно трактовать как
захват дырки ловушкой (прилипание). Обратные переходы с и d это акты
делокализации (освобождения, выброса) электрона и дырки.
Самой простой моделью ловушки является водородоподобный атом. Если
диэлектрическая проницаемость кристалла довольно велика (для такого
стекла ?*ю), то влияние электрического поля кристаллической решетки может
быть описано через поляризацию кристалла. Энергия связи электрона в
ловушке равна
+ 4
171 €
2Н2€2 а радиус боровской орбиты основного
состояния локализованного электрона г - ~Гр; * •> А. Геометрическое
сечение такой ловушки будет порядка 25-1 о~1бст2, а экспериментально
наблюдаемые сечения захвата находятся в пределах кг12...кг22cm2. После
захвата электрона ловушкой у него есть две возможности. Он может быть
либо вновь выброшен в зону проводимости, либо перейти в валентную зону.
Если преобладает вероятность термического выброса электрона в зону
проводимости, то ловушка представляет собой центр прилипания. Если
преобладает вероятность перехода в валентную зону, т.е. захват дырки
вслед за захватом электрона, то ловушка служит центром рекомбинации
избыточных электронов и дырок. Аналогично ловушка может быть центром
прилипания дырок, как на рис. 18.2,Ь. В этом случае дырка, захваченная из
валентной зоны, вновь возвращается в эту же зону.
Характер и свойства ловушки определяются положением ее энергетического
уровня или уровней, если ловушка многозарядная, а также эффективными
сечениями захвата электронов или дырок или концентрациями электронов и
дырок в зонах. Последние зависят от уровня или квазиуровней Ферми
материала. Ловушка может быть донором или акцептором, центром прилипания
или рекомбинации, активатором или тушителем люминесценции. К сожалению, в
физике твердого тела эти явления - один из самых сложных вопросов и здесь
до сих пор нет даже общепринятой терминологии. Для того чтобы все
154
электроны или их большинство набирали энергию в ловушках и вылетали
преимущественно в одном направлении, нужна сильная деформация сферически
симметричного поля ловушек, а также их определенная ориентация
относительно некоторого выбранного направления.
Последнего можно добиться, если в качестве материала выбрать стекло,
которое в состоянии расплава подвергается действию сильного
электрического поля. Оно снимается только после остывания стекла, а его
нестехиометрический состав (обычная ситуация для всех стекол) приводит к
тому, что ловушки будут несимметричными из-за разной природы соседей
(атомов), окружающих ловушку.
Стекло - это такой материал, в котором вместе в тех или иных пропорциях
сочетаются стеклообразные и кристаллические фазы. Оно получается при
спекании окислов металлов и природных минералов, а при частичной
кристаллизации стекол возникают очень
перспективные материалы типа ситалла или стекол, получаемых группой
профессора В.М.Соболева. Например, хорошо известный
астроситалл в достаточно широкой области температур имеет
исчезающе малый коэффициент линейного расширения, и это означает, что
атомы, входящие в структуру астроситалла, находятся в потенциальных ямах,
имеющих строго параболическую форму, что является крайне удивительным.
Нам совершенно неизвестна технология изготовления стекла
В.М.Соболева. Оно, как утверждают корреспонденты и очевидцы,
присутствовавшие при изготовлении и измерениях параметров этого
материала, больше всего напоминает прозрачные куски типа кварца синего
цвета (добавка кобальта или закиси железа?). Но, исходя из изложенных
выше соображений, этот расплав стекла при его изготовлении должен
обязательно помещаться в сильное электрическое поле, которое снимается
только после полного охлаждения. Это надо сделать для замораживания
неравновесного состояния. Тогда в таком материале появятся ловушки
электронов с сильно несимметричным полем, которые ориентированы
электрическим полем (подобно диполям диэлектрика при его поляризации), а
Предыдущая << 1 .. 54 55 56 57 58 59 < 60 > 61 62 63 64 65 66 .. 68 >> Следующая