Книги
чёрным по белому
Главное меню
Главная О нас Добавить материал Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Археология Архитектура Бизнес Биология Ветеринария Военная промышленность География Геология Гороскоп Дизайн Журналы Инженерия Информационные ресурсы Искусство История Компьютерная литература Криптология Кулинария Культура Лингвистика Математика Медицина Менеджмент Металлургия Минералогия Музыка Научная литература Нумизматика Образование Охота Педагогика Политика Промышленные производства Психология Путеводители Религия Рыбалка Садоводство Саморазвитие Семиотика Социология Спорт Столярное дело Строительство Техника Туризм Фантастика Физика Футурология Химия Художественная литература Экология Экономика Электроника Энергетика Этика Юриспруденция
Новые книги
Цуканов Б.И. "Время в психике человека" (Медицина)

Суворов С. "Танк Т-64. Первенец танков 2-го поколения " (Военная промышленность)

Нестеров В.А. "Основы проэктирования ракет класса воздух- воздух и авиационных катапульных установок для них" (Военная промышленность)

Фогль Б. "101 вопрос, который задала бы ваша кошка своему ветеринару если бы умела говорить" (Ветеринария)

Яблоков Н.П. "Криминалистика" (Юриспруденция)
Реклама

Справочное руководство по звуковой схемотехнике - Шкритек П.

Шкритек П. Справочное руководство по звуковой схемотехнике — М.: Мир, 1991. — 446 c.
ISBN 5-03-001603-1
Скачать (прямая ссылка): spravochnoerukovodstvopozvukovoy1991.djvu
Предыдущая << 1 .. 72 73 74 75 76 77 < 78 > 79 80 81 82 83 84 .. 173 >> Следующая

¦ . . , *. V BE 3 4 Uv
Kmax - О = A' -- „---------(13.7.1)
Отсюда видно, что максимальный ток ограничивается на уровне, превышающем ток сигнала ia на некоторую постоянную величину А і.
13.7.2. Защитная схема SOAR
Схема защиты транзистора по способу SOAR (“Save Operation Area”) допускает его работу в определенных пределах величин тока (см. рис. 13.2.1). Условия вступления схемы в действие одновременно должны зависеть от UCE и 1С.
Принципиальная схема ограничителя по способу SOAR приведена на рис. 13.7.2. В этой схеме защищается верхний выходной транзистор Т1. Управляющим параметром служит напряжение ик, которое складывается из падения напряжения на Ru создаваемого током гс1, и составляющей, пропорциональной UCEl:
R2
11 к = «I'd + т, , ~п~ucei ¦ (13.7.2)
К2 +
Выходное напряжение транзистора Т4 сравнивается с некоторым опорным напряжением Uу в дифференциальном усилителе Т5, Тб. Если оно больше, чем Uv, то отпирается Т5 и ток источника предварительного каскада /j уменьшается до величины
Црк , max R 2 UCE 1 П 3 7 3^
lCl ,max ~ Ri И2+ Rs Ri ’
при которой UPK max опять опускается ниже порога.
Рис. 13.7.2. Принципиальная схема оконечного каскада с защитой выходного транзистора Т1 от перег рузок [13.3].
210 Глава 13
13.7.3. Рассеяние мощности на высоких частотах
Описанные схемы не позволяют эффективно контролировать свойственное биполярным транзисторам нарастание рассеиваемой мощности при увеличении частоты сигнала, а также при самовозбуждении. Процесс переключения транзисторов имеет конечную длительность (у мощных транзисторов она измеряется микросекундами), и в момент, когда один транзистор отпирается, второй еще в течение некоторого промежутка времени остается открытым, т. е. в обоих транзисторах существует коллекторный ток, и, следовательно, увеличивается мощность потерь Рт. Это увеличение тем больше, чем быстрее нарастание выходного напряжения в области перехода функции через 0 или чем чаще переключения транзистора. Создается опасность термической перегрузки транзисторов, которая, как нетрудно видеть, оказывается пропорциональной частоте.
Меры защиты от этого неприятного явления состоят в грамотном подборе эмиттерных сопротивлений, применении защитных диодов, использовании быстродействующих (с малыми постоянными времени коммутации) транзисторов и быстродействующих защитных схем.
13.7.4. Защита мостовых схем от постоянных напряжений
В усилителях с мощными каскадами, собранными по мостовой схеме, громкоговоритель оказывается гальванически связанным с выходом каскада даже при однополярном напряжении питания, поскольку оба выхода находятся под одинаковым напряжением покоя (обычно Uy = UB/2) (рис. 13.7.3).
В нормальном режиме напряжение покоя Uv получается из UB с помощью делителя Rg — Л5 (оба каскада охвачены общей ОС по постоянному напряжению, т. е. r„(0) = 1). Если, например, в результате короткого замыкания одного из выходов на землю изменится его напряжение UА, то соответственно изменится и потенциал покоя Uv (цепь R3, R4, D1/D2), и оба выхода окажутся под одинаковым потенциалом. Таким образом окажется защищенным и громкоговоритель (AUK = 0 —> 1К = 0), и выход усилителя. Диоды D1/D2 определяют нижний порог срабатывания защиты, а конденсатор Cs позволяет выбрать нужную временную задержку срабатывания.
Рис. 13 7.3. Принципиальная схема мостового выходного каскада с защитой громког оворителя от постоянных напряжений [13.3].
Усилители мощности 211
13.8. Выходные каскады с большим током
Мощные биполярные транзисторы обладают небольшим коэффициентом усиления по току (В < 50). Поэтому однокаскадные эмиттерные повторители могут работать при выходных токах порядка сотен миллиампер. Большие коэффициенты усиления по току (vj > 100) можно получить, включив выходные транзисторы по схеме Дарлингтона.
Эмиттерный повторитель Дарлингтона
Принципиальная схема выходного каскада на симметричной паре транзисторов, работающих в режиме эмиттерного повторителя, показана на рис. 13.8.1, а. Ток покоя устанавливается с помощью резистора Rx при напряжении смещения AU. Укажем, кстати, что сопротивление Ru с одной стороны, уменьшает общий коэффициент усиления по току і ! < Pt Р2, но, с другой, ускоряет отток зарядов с баз транзисторов Т3 и Т4 во время переключений. Если ток покоя /0 создается только для входных транзисторов Т, и Т2, то напряжение смещения следует выбирать из условия
2UnBT ^ AU = 4UnBT. В малосигнальном режиме работают только транзисторы Г, и Т2, выходные транзисторы отпираются только при больших выходных токах, когда
Rih. > ипш.
Псевдодвухтактный эмиттерный повторитель
Укажем, что псевдодвухтактный эмиттерный повторитель (его схема приведена на рис. 13.8.1,6) не дает такого усиления по току, какое можно получить в схеме Дарлингтона. Ток на базы транзисторов Тъ и Т4 поступает через Rv Его сопротивление должно быть очень небольшим, поскольку при этом потенциал базы транзисторов Т3 и Т4 при максимальном входном сигнале оказывается близким к напряжению питания, т. е. транзисторы работают в режиме максимального динамического диапазона. С этой целью вместо Rx целесообразно использовать источник постоянного тока (см. рис. 13.4.4, в).
Предыдущая << 1 .. 72 73 74 75 76 77 < 78 > 79 80 81 82 83 84 .. 173 >> Следующая